串行SRAM
串行SRAM是一款獨(dú)立的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器芯片，能夠以低成本且簡(jiǎn)單的方式被設(shè)計(jì)者向應(yīng)用中添加更多RAM,8個(gè)引腳，低功耗，高性能的串行SRAM器件的擦寫次數(shù)沒有限制且寫入時(shí)間為零，適合數(shù)據(jù)傳輸，緩存，數(shù)據(jù)記錄，互聯(lián)網(wǎng)，圖形緩存以及其他數(shù)據(jù)功能的應(yīng)用。容量可達(dá)64 Kb至1 Mb的容量，支持SPI、SDI和SQI總線模式。

串行NVSRAM
串行NVSRAM提供了一種非易失性RAM存儲(chǔ)方案，非常適合需要經(jīng)常向存儲(chǔ)器寫入數(shù)據(jù)的應(yīng)用。 該器件的成本大大低于其他非易失性RAM器件，通過(guò)外部電池來(lái)備份數(shù)據(jù)。 該8引腳SPI器件支持對(duì)存儲(chǔ)陣列執(zhí)行無(wú)限次瞬時(shí)寫入操作，是計(jì)量、數(shù)據(jù)采集器、數(shù)據(jù)記錄器和黑盒子等應(yīng)用的理想之選。 這些器件可提供512 Kb和1 Mb容量。

串行NVSRAM對(duì)于經(jīng)常需要向存儲(chǔ)器寫入數(shù)據(jù)的應(yīng)用提供了一種非易失性的RAM的存儲(chǔ)方案，成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于其他非易失性RAM器件，通過(guò)外部電池來(lái)備份數(shù)據(jù)，該器件還支持對(duì)存儲(chǔ)無(wú)限次瞬時(shí)寫入操作，可以應(yīng)用于數(shù)據(jù)采集器，計(jì)量，黑盒子和數(shù)據(jù)記錄器，容量可提供512 Kb和1 Mb容量。

串行SRAM為向應(yīng)用添加RAM提供了一種簡(jiǎn)單低成本的方式，這些器件采用8引腳的封裝并同時(shí)有SPI接口，可以在設(shè)計(jì)中提供更多靈活性，串行NVSRAM器件提供了低成本的非易失性SRAM或者FRAM存儲(chǔ)解決方案，串行NVSRAM除了有低功耗的設(shè)計(jì)還支持對(duì)存儲(chǔ)陣列執(zhí)行無(wú)限次瞬時(shí)寫入操作，并且斷電時(shí)可以通過(guò)外部電池自動(dòng)備份存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

擴(kuò)展RAM的方式
1.    使用RAM資源更大的單片機(jī)，如果是為了獲取更大的RAM資源，會(huì)增加不必要的成本，
2.    使用外部并行RAM，但是并行RAM一般封裝都比較大，至少需要16-20個(gè)I/O。占用了單片機(jī)的資源。
3.    串行SRAM現(xiàn)在支持向設(shè)計(jì)中靈活添加RAM，而不會(huì)帶來(lái)大型單片機(jī)或并行RAM的缺點(diǎn)，它使用簡(jiǎn)單的4引腳SPI接口。 SDI和SQI接口可將數(shù)據(jù)速率提高4倍，這些器件還會(huì)通過(guò)這兩個(gè)接口來(lái)提升性能。



與其他存儲(chǔ)器技術(shù)相比的優(yōu)勢(shì)：

串行SRAM為客戶提供了成本最低的RAM擴(kuò)展解決方案。 串行SRAM器件支持5V電壓，具有易于使用的SPI接口并采用小型8引腳封裝，非常適合需要額外RAM的應(yīng)用或是可將數(shù)據(jù)緩沖、數(shù)據(jù)記錄、圖形、數(shù)學(xué)、音頻和視頻等重復(fù)的數(shù)據(jù)密集型功能交由片外存儲(chǔ)器處理的應(yīng)用。 串行SRAM可提供64 Kb至1 Mb的容量。
串行NVSRAM的成本明顯低于其他任何并行、串行的NVSRAM或FRAM。 串行NVSRAM使用外部電池來(lái)實(shí)現(xiàn)非易失性存儲(chǔ)。 這對(duì)于計(jì)量、黑盒子和其他數(shù)據(jù)記錄等應(yīng)用非常有益，這些應(yīng)用需要擦寫次數(shù)沒有限制或需要瞬時(shí)寫入以及非易失性存儲(chǔ)。 串行NVSRAM可提供512 Kb至1 Mb的容量。
 

串行SRAM和NVSRAM在尺寸、電壓、速度、功耗和成本等方面帶來(lái)了諸多優(yōu)勢(shì)。
串行SRAM總線模式——SPI、SDI和SQI：
串行SRAM器件設(shè)計(jì)用于通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)SPI接口以20 MHz的頻率工作。 在512 Kb和1 Mb器件上，SO和SI（引腳2和引腳5）與SIO2和SIO3（引腳4和引腳7）設(shè)計(jì)用作雙向I/O引腳。
在SQI模式下，全部4個(gè)引腳（引腳2、4、5和7）均配置為可隨時(shí)高效進(jìn)行讀或?qū)懖僮鳎_保在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)通過(guò)總線傳輸4位，這實(shí)際上會(huì)獲得4倍數(shù)據(jù)速率。例如，標(biāo)準(zhǔn)SPI模式下需花費(fèi)40個(gè)時(shí)鐘周期才能完成的任務(wù)現(xiàn)在可以在40/4 = 10個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)完成。 需要快速傳輸大量數(shù)據(jù)時(shí)，該功能十分有用。
在SDI模式下，只有兩個(gè)引腳（引腳2和引腳5）配置為雙向I/O引腳，可獲得最高2倍的數(shù)據(jù)速率。 我們的標(biāo)準(zhǔn)512 Kb和1 Mb SRAM器件可在SDI和SQI模式下使用。
相同尺寸的相同器件可用于SDI和SQI。

下圖給出了在SPI、SDI和SQI模式下以20 MHz向23LC1024 1 Mb SPI SRAM寫入128 KB存儲(chǔ)內(nèi)容所需的時(shí)間。 從中可看出，SQI比標(biāo)準(zhǔn)SPI快75%。

 

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