2）CPU內(nèi)部的L1／L2或外部的L2高速緩存。

 

SSRAM（Synchronous SRAM）即同步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。同步是指Memory工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。

 

對于SSRAM的所有訪問都在時(shí)鐘的上升/下降沿啟動。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號均于時(shí)鐘信號相關(guān)。這一點(diǎn)與異步SRAM不同，異步SRAM的訪問獨(dú)立于時(shí)鐘，數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。

 

SDRAM（Synchronous DRAM）即同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器。同步是指 Memory工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。

FLASH 即閃存。它是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意 : NOR Flash 為字節(jié)寫存儲。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。

Nand Flash和Nor Flash都是Flash的一種，都是散存，都是磁盤存儲介子，但是NandFlash一般比較大，而NorFlash都比較小，并且NorFlash比較貴，并且NorFlash寫的速度比較慢，但讀的速度比較快 ，而NandFlash讀的速度比較慢，寫的速度比較。

EEPROM 即電子可擦除只讀存儲器。EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、PDA（個(gè)人數(shù)字助理）、數(shù)碼相機(jī)中保存資料等。

串行EEPROM（I2C SPI）

并行EEPROM

flash按接口分有總線flash，SPI flash。總線flash需要你的MCU上有外部總線接口，SPI flash就是通過SPI口對flash進(jìn)行讀寫。速度上，總線flash比SPI的快，但是SPI的便宜。


本文關(guān)鍵詞：SRAM   EEPROM  Nand Flash

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