Crossbar ReRAM的優勢
2017-10-16 17:02:30
到目前為止，還沒有一個行之有效的NAND的替代技術，而Crossbar的ReRAM則有機會把握住這一市場價值超過400億美元的機會。Crossbar還在研制中的ReRAM技術已經取得了顯著的商業化進展，只要維持這個優勢，他們將能夠建立一個具有成本效益的、多層級的ReRAM市場，從而超越3D NAND等競爭對手。
Crossbar悄無聲息地帶來了一個全新的、極具吸引力的替代性存儲器技術。他們解決方案的關鍵是將ReRAM內置于存儲單元之中，不像其它ReRAM技術還需要一個單獨的外部設備，這無疑會帶來噪音等諸多問題。而這也就會顯示出Crossbar方案的極大優勢。鉬CrossbarReRAM技術基于一個簡單的結構，采用CMOS工藝常用的材料以及標準的制造工藝，無需任何特別的機器設備或者材料，就可以很容易地在現有的CMOS工廠進行制造。由于Crossbar ReRAM采用了低溫后段制程工藝整合，所以多層Crossbar ReRAM陣列可以被整合到CMOS邏輯晶圓之上，從而創建出3D ReRAM存儲芯片。
Crossbar ReRAM單元存儲介質是包裹絕緣性非晶硅（a-Si）的金屬絲，這與在閃存單元里電子存儲的形式有很大不同，因為哪怕是少量的電子損耗都會引發可靠性問題，所以鎖定電子就變成了一個艱巨的挑戰。這也是為什么閃存的性能在較小的制程工藝尺寸上會有所降低的原因。而Crossbar ReRAM在不同尺寸上都不會影響設備的性能，并且有望被用于10納米以下的尺寸。
CrossbarReRAM技術具有眾多特性，可以實現多種全新的存儲解決方案類別。Crossbar ReRAM單元的內置選擇特性允許不同的內存陣列配置，一個晶體管可以驅動一個或者成千上萬個內存單元，從而實現了針對不同目標應用的靈活設計：嵌入式代碼存儲的快速讀取和處理器的直接執行，或者對存儲數據的高密度、低延滯讀取。
Crossbar ReRAM技術相較于NAND閃存能夠將讀取延滯降低到1/100，將寫入速度提升20倍，而且還可以不受限制地對數據進行反復擦除。CrossbarReRAM技術可以以小頁模式建構，可以被獨立地擦除或者重新編程。通過移除無用單元回收所要求的大量后臺內存讀取，這種全新的存儲架構大大簡化了存儲控制器的復雜度。該技術的寫入放大率為1，從而為用戶帶來低的讀寫延滯、更低功耗以及存儲解決方案更長生命周期的好處。
憑借這些突破性的性能和可靠性、超高的容量、低功耗以及針對多種存儲架構的可調性，Crossbar將為消費電子、企業存儲、移動計算、工業/汽車/醫療、物聯網以及可穿戴設備應用帶來一波新的創新。
本文關鍵詞：
ReRAM 消費電子 物聯網
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