由于中美貿易摩擦影響，中國大陸兩大DRAM廠發展腳步已明顯放緩，根據TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)研究指出，作為NAND Flash發展主力的長江存儲今(2019)年底前將依照進程正式量產64層Xtacking 3D NAND產品，隨著長江存儲明(2020)年產能逐步擴大，預計將對全球NAND Flash市場供給與價格帶來沖擊。

TrendForce指出，長江存儲已于第一季送交樣品給部分客戶及控制器廠商，初期著重國內市場銷售；并且已完成武漢廠的建設，并有限度的投產32層產品，待64層正式量產后產能擴張將轉趨積極。2020年后產能規劃將逐步放大，到該年底擴張達至少60K/m的投片量，盡管相對其他競爭者動輒200K/m以上的產能并不算大，預估仍會對NAND Flash市場價格產生一定沖擊，導致跌價趨勢持續。 TrendForce分析認為，中國新開產能以達成自給的目標相當明確，而其他國際廠商亦各自有新廠得以因應2020年后的競爭，包含三星的西安二期、東芝的巖手縣新廠、美光的新加坡三廠、SK Hynix M15廠的剩馀空間加上后續的M16廠房等，在各廠產能提升后，價格競爭恐將更為激烈。

為縮短與一線廠1-2年的技術差距，長江存儲明年直攻128層產品。TrendForce指出，以主要六大供應商的發展狀況來看，目前主流出貨多在64/72層產品，并已量產92/96層的產品，目前正提供客戶UFS、SSD等產品樣品進行導入，然而新制程的擴產受到今年市況影響，供應商自去年年底以來逐步調降資本支出并減緩擴產時程，甚至有部分供應商決定減產，導致新制程比重成長較為緩慢。 反觀長江存儲發展規劃，在推出64層產品后，相較于其他供應商先發展9x層的步調，長江存儲將直攻128層以縮減與其他供應商的差距，主要供應商則規劃在2020年量產128層產品。盡管長江存儲在技術發展上仍與主要供應商有相當差距，但未來對市場的影響恐怕勢難抵擋。

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