‘非易失性’是指MRAM單元在關(guān)斷電源后仍可保持完整記億,功能雖與閃存類同,但本質(zhì)各異。閃存的非易失性不是閃存的固有屬性,而是靠兩個閃存反相器交叉耦合組成，也就是由晶體管、電阻及電容等元器件組合而成的記憶單元,實際上是靠微小電容器存儲的一份電荷來保存信息,如果斷電則這份電荷就會耗盡。但MRAM單元卻簡單多了，它的四層薄膜中有三層都是鐵磁性材料,寫入自由層的數(shù)據(jù):0或Ⅰ狀態(tài),設(shè)置的原理基于磁性材料固有的磁滯效應(yīng)具有永久性,這是鐵磁性材料的固有屬性,因此在突然斷電時也不會丟失信息,存入數(shù)據(jù)的非易失性自然得到保證。而且保存數(shù)據(jù)并不耗電。
 
隨機存取
‘隨機存取’是指中央處理器讀取資料時不必從頭開始，隨時可用相同的速率從MRAM芯片的任何部位讀取信息，這與當(dāng)前計算機在開機時須重新從硬盤向RAM內(nèi)存裝載信息不同,因mram芯片在關(guān)機前已將程序和數(shù)據(jù)保存在本地內(nèi)存之中。因此MRAM芯片取消計算機開機的等待時間,也就是啟動快。而且隨機存取速率也快,因為MRAM元件是一個單體,數(shù)據(jù)存儲以磁疇取向為依據(jù),存‘0’或‘1’，原理簡明、運行快捷。不像閃存那樣隨機存取有賴于晶體管的導(dǎo)通、截止以及電路傳輸。
 
存儲密度
MRAM與閃存都屬于小規(guī)格芯片,所占空間極小,存儲密度隨著集成技術(shù)工藝的發(fā)展而增加。集成技術(shù)工藝已從亞微米工藝進入到納米工藝，因此MRAM的體積也越來越小,存儲密度必隨之增加。
 
低功耗
MRAM單元的功耗很低，存儲單元的工作電壓只有閃存EEPROM的十分之一左右,而且斷電后保存數(shù)據(jù)不需耗電。
 
MRAM被認(rèn)為是目前能同時滿足計算機內(nèi)存四項要求:‘非易失性、隨機存取速率高、數(shù)據(jù)存儲密度高以及耗電功率低'的最佳器件,因而受到業(yè)內(nèi)人士的廣泛關(guān)注,各大企業(yè)競相開發(fā),力爭產(chǎn)品早日面世。

Everspin是設(shè)計制造和商業(yè)銷售離散和MRAM和STT-MRAM的翹楚，其市場和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin在數(shù)據(jù)中心和云存儲及能源，工業(yè)，汽車和運輸市場中部署了超過1.2億個MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品，在包括40nm，28nm及更高工藝在內(nèi)的先進技術(shù)節(jié)點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。Everspin代理商英尚微電子可提供驅(qū)動、例程和必要的FAE支持。


EVERSPIN MRAM型號

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ / Tray	MOQ / T&R
4Mb	512Kx8	MR25H40CDC	8-DFN	3.3V	Industrial	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDF	8-DFN sf	3.3v	Extended	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDFR	8-DFN sf	3.3v	Extended	1140	4000
4Mb	512Kx8	MR20H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	1,140	4,000
4Mb	512Kx8	MR20H40CDFR	8-DFN sf	3.3V	Industrial	1,140	4,000

 
 
本文關(guān)鍵詞：MRAM  

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