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? 偽靜態存儲器（Parrallel pSRAM）的設計是用于直接替代靜態隨機存儲器（SRAM），即使內部存儲器的操作并非靜態。商業化的兩種偽靜態存儲器分別是偽靜態隨機存儲器（PSRAM）及鐵電隨機存儲器（F—RAM）。PSRAM針對慢速SRAM應用；當純粹計算每個位的成本時具有競爭優勢。F-RAM針對電池后備SRAM（即BBSRAM）應用，在系統成本及產品供應方面具有競爭力。F-RAM還有一個目標用途是用于非易失性數據獲得，在這種應用中可以提供卓越的性能。

JSC濟州半導體致力于PSRAM芯片領域，并成為了全球半導體PSRAM存儲芯片領域解決方案供應商之一。
由于濟州半導體出道到SRAM（靜態隨機存取存儲器）和4M SRAM的2001市場，濟州半導體持續實施全系列低功耗SRAM產品通過1M、2M、4M至8M SRAM，也包括8M至64M的PSRAM存儲芯片產品，產品線主要是由SRAM芯片、PSRAM芯片、NAND FLASH組成。

Density	Part number	Voltage	Max Speed	DPD mode	Pacakge Type	Product Description	PDF下載
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16Mb	EM7164SP16BPP-70LFx	1.8v	70ns	x	48B FBGA 6x7mm	De-Mux Async. pSRAM	暫無
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